【三星电子开启“Z轴”时代 可垂直堆叠于AI芯片的HBM要来了】当地时间8月4日，在美国加州圣克拉拉举行的未来存储与内存大会（FMS）上，三星电子首次官宣了zHBM和zNAND-O两款概念产品。根据三星电子首席技术官宋载赫的定义，产品名中“z”的含义是Z轴，象征着将HBM或NAND沿着垂直方向堆叠。其中，zHBM将高带宽内存直接垂直堆叠于AI加速器芯片之上，性能预计约为下一代HBM5的8倍。