公司代码：688012 公司简称：中微公司 中微半导体设备（上海）股份有限公司 2026 年半年度报告 重要提示 一、 本公司董事会及董事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。 二、 重大风险提示 公司已在报告中详细描述可能存在的相关风险，敬请查阅第三节管理层讨论与分析“四、风险因素”部分内容。 三、 公司全体董事出席董事会会议。 四、 本半年度报告未经审计。 五、 公司负责人尹志尧、主管会计工作负责人陈伟文及会计机构负责人（会计主管人员）陈伟文声明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。 六、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 无 七、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项 □适用 √不适用 八、 前瞻性陈述的风险声明 √适用 □不适用 本半年度报告中涉及的未来计划、发展战略等前瞻性陈述不构成公司对投资者的实质承诺，投资者及相关人士均应当对此保持足够的风险认识，并且应当理解计划、预测与承诺之间的差异，敬请投资者注意投资风险。 九、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况 否 十、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况 否 十一、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否 十二、 其他 □适用 √不适用 目录 第一节 释义...... 4 第二节 公司简介和主要财务指标......5 第三节 管理层讨论与分析......9 第四节 公司治理、环境和社会......42 第五节 重要事项......44 第六节 股份变动及股东情况......75 第七节 债券相关情况......85 第八节 财务报告......86 载有公司法定代表人、主管会计工作负责人、会计机构负责人签名并 备查文件目录 盖章的财务报告。 报告期内在中国证监会指定网站上公开披露过的所有公司文件的正文 及公告的原稿。 第一节 释义 在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义： 常用词语释义 报告期 指 2026 年 1 月 1 日至 2026 年 6 月 30 日 公司、本公司、中微公司 指 中微半导体设备（上海）股份有限公司 股东会 指 中微半导体设备（上海）股份有限公司股东会 董事会 指 中微半导体设备（上海）股份有限公司董事会 中国证监会、证监会 指 中国证券监督管理委员会 上交所 指 上海证券交易所 元、万元、亿元 指 人民币元、人民币万元、人民币亿元 中微亚洲 指 Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc. Asia 中微南昌 指 南昌中微半导体设备有限公司 中微临港 指 中微半导体（上海）有限公司 中微国际 指 Advanced Micro-Fabrication Equipment International Pte. Ltd. 中微汇链 指 中微汇链科技（上海）有限公司 中微惠创 指 中微惠创科技（上海）有限公司 芯汇康 指 芯汇康生命科学（上海）有限公司 中微成都 指 中微半导体设备（四川）有限公司 中微广州 指 中微半导体设备（广州）有限公司 超微公司 指 超微半导体设备（上海）有限公司 中微众硅、众硅公司 指 中微众硅（杭州）电子科技有限公司（曾用名：杭 州众硅电子科技有限公司） 智微资本 指 上海智微私募基金管理有限公司 上海创投 指 上海创业投资有限公司 巽鑫投资 指 巽鑫（上海）投资有限公司 DAS 环境专家有限公司 指 DAS Environmental Expert GmbH CCP 指 Capacitively Coupled Plasma，电容性耦合的等离子 体源 CVD 指 Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积 DRAM 指 Dynamic RandomAccessMemory，动态随机存取存 储器 ETCH、刻蚀 指 用化学或物理方法有选择地在硅片表面去除不需 要的材料的过程，是与光刻相联系的图形化处理的 一种主要工艺，是半导体制造工艺的关键步骤 GaN、氮化镓 指 GalliumNitride，氮和镓的化合物，一种第三代半导 体，主要应用为半导体照明和显示、电力电子器件、 激光器和探测器等领域 IC、集成电路 指 Integrated Circuit，指通过一系列特定的加工工艺， 将晶体管、二极管等有源器件和电阻器、电容器等 无源原件按一定的电路互联并集成在半导体晶片 上，封装在一个外壳内，实现特定功能的电路或系 统 ICP 指 Inductive Coupled Plasma，电感性耦合的等离子体 源 LED 指 Light-Emitting Diode，发光二极管 LED 外延片 指 LED 外延片是指在一块加热至适当温度的衬底基 片（主要有蓝宝石、SiC、Si 等）上所生长出的特 定单晶薄膜 MEMS 指 Micro-Electro-Mechanical System，微机电系统 Mini-LED 指 介于传统 LED 与 Micro LED 之间的次毫米发光二 极管，意指晶粒尺寸约在 100 微米的 LED Micro LED 指 LED 微缩化和矩阵化技术，将 LED 背光源进行薄 膜化、微小化、阵列