证券代码：688012 证券简称：中微公司 中微半导体设备(上海)股份有限公司 投资者关系活动记录表 ☐特定对象调研 分析师会议 ☐媒体采访 ☐业绩说明会 投资者关系 ☐新闻发布会 ☐路演活动 活动类别 ☐现场参观 ☐其他（请文字说明其他活动内容） 时间 2026年08月 地点 线上电话会议 董事长、总经理：尹志尧 上市公司 董事、副总经理：陶珩 接待人员 副总经理、财务负责人：陈伟文 副总经理、董事会秘书：刘方 公司近况介绍： 中微公司自 2004 年成立以来，一直致力于开发和提供等离子体刻蚀、 化学薄膜、量检测等微观加工所需的高端关键设备。如今，公司已开发出 54 种高端半导体设备，包括 26 种高能和低能等离子体刻蚀机设备，24 种 各类薄膜设备，以及化学机械抛光设备和量检测设备。刻蚀和薄膜设备的 投资者关系活动 加工精度已经达到了原子级水平。公司于 2026 年上半年完成对众硅公司控 主要内容介绍 股权的收购，完成了对化学机械抛光（CMP）设备的覆盖，实现从“干法”向 “干法+湿法”整体解决方案的关键跨越。截至 2026 年 6 月底，公司累计已 有超过 8800 个反应台在国内外 220 余条生产线实现量产。 在过去十四年保持年均收入增速大于 35%的基础上，2026 年上半年公 司收入继续保持高速增长，同比增长 34.89%，达到约 66.91 亿元。人均年 销售额达到了 450 万元，和国际领先的设备公司持平，但中微公司的人均成本不到国际设备公司的一半，劳动生产率远高于国际领先的设备公司。 2026 年上半年公司扣非后归母净利润较去年同期增长 108.36%，达到 约 11.23 亿元。研发投入约 20.41 亿元，较去年同期增长约 36.86%，研发 支出占公司营业收入比例约为 30.51%，远高于科创板上市公司的平均研发投入水平，公司目前同时推进六大类、超 20 款新设备的研发。 中微公司开发高端先进设备一贯坚持“技术的创新、产品的差异化和知识产权保护”，这使我们开发的新设备有极强的竞争力和迅速扩大市场份额的能力。公司研发新产品的速度显著加快，过去通常需要三到五年开发一款新设备，现在只需两年或更短时间就能开发出有竞争力的新设备，并顺利进入市场，公司有望在未来几年更大规模地推出新产品。公司持续加大研发创新力度，自主开发的各类新产品对标国际先进同类设备技术水准，多款机型经客户端验证，关键性能指标达到国际先进水平，部分指标优于海外标配设备。目前公司的五十多种设备产品已经覆盖了超过 30%前道集成电路设备产品，未来五年，公司将通过自主开发与外延并购，覆盖60%以上的集成电路高端设备市场和 70%以上的先进封装设备市场，成为全球领先的高端设备平台型公司。 问答环节主要内容： 1、 请问公司如何看待全球及中国晶圆制造设备（WFE）市场的规模及增长趋势？ 答： 人工智能产业的高速增长推动算力、存储芯片需求快速增长，晶圆厂持续加大资本开支，推动全球 WFE 市场规模持续走高。根据国际半导体产业协会（SEMI）的预测，2026 年全球 WFE 市场规模将增长 23.1%至 1,439 亿美元。预计 2027 年再增长 21.8%至 1,753 亿美元，2028 年继续增 长 14.1%，突破 2,000 亿美元大关。中国市场从 2020 年成为全球第一大设 备市场后，中国大陆地区约占全球 WFE 市场规模的 35%~40%。中微公司始终坚持三维立体发展战略，采取产品多样化的布局策略，不断开发新的高端设备以对冲潜在的周期风险，实现高速稳定的可持续发展。 2、 全球半导体设备、包括上游零部件需求加速，供给逐步趋紧，请问公司产品的交期是否发生变化，未来如何保证产品按时交付？ 答：截至目前，中微公司保持了 100%的按时交付。随着客户订单进入大规模交付期，我们将与供应链紧密配合，持续提升公司交付能力。中微公司与海外零部件供应商有着长期、良好、稳定的合作关系，是海外供应商的优先客户，我们会根据订单情况提前做好海外核心零部件的战略备库。公司与国产供应商进行广泛合作，持续推进国产方案的导入，多元化供应链结构，保证供应链的安全性、及时性和稳定性。公司与客户也在不断提升生产及验证效率，缩短设备生产、终测、量产调试时间。 3、 海外设备公司目前交期也很紧张，随着公司产品竞争力的不断提升，公司的海外业务是否有新的进展？ 答：中微公司自成立以来一贯的发展目标是成为全球第一梯队的半导体设备公司，一直致力于研发和生产有国际竞争力的高端半导体设备。公司具备较好的海外客户基础，目前在海外最先进逻辑客户已经累计交付约 800个反应台。公司强调完全自主知识产权，产品的国际竞争力在不断提升，实现更小的占地面积，更高的输出量。公司在持续对接更多海外意向客户，持续拓展海外市场。 4、请问公司未来产能及资本开支的规划如何？ 答：中微公司目前有金桥、临港一期以及南昌三大生产基地。上海临港滴 水湖畔的总部大楼暨研发中心已于 2026 年 8 月 1 日举办落成典礼。广州 华南总部研发及生产基地计划 2027 年上半年投产；成都研发及生产基地暨西南总部预计 2027 年上半年投产。目前，公司厂房建筑面积达到 60 万平方米。临港二期的生产和研发基地拟于 2026 年下半年开工建设。未来五年，公司的厂房建筑面积将增至 90 万平方米。公司的生产能力将持续匹配发展的需求，为公司的大发展夯实基础。 5、 请问公司如何看待中国先进制程的发展，针对国内半导体行业的创新，比如多重曝光、立体堆叠等技术，公司有哪些产品的布局？ 答：除了先进制程采用多重曝光技术不断进步，存储器件也从 2D 到 3D化快速推进。多重曝光以及未来芯片器件的 3D 化，将大幅增加刻蚀、薄膜沉积、量检测以及部分湿法设备的工艺步骤。中微公司专注于高端微观加工设备的自主研发和创新，更高深宽比、高选择比的刻蚀机将为公司带 来新的增长动能。随着芯片越做越小，EPI 设备的需求也将显著提升，公司的减压外延设备已在成熟制程客户端验证成功，也已付运多家先进制程客户端验证，进展顺利。此外，我们也在持续推进包括方波技术、ALE 技术和 ALD 技术在 ICP 等离子体刻蚀设备上的应用研发，以满足三维逻 辑、DRAM 和 NAND 等器件对更先进 ICP 刻蚀设备的持续需求。中微公 司在先进封装类设备展开布局，随着国内先进封装市场的大发展，对 TSV硅通孔、CuBS PVD 集成设备、镀铜设备、量检测设备、混合键合等设备均有拉动。2026 年上半年，公司在先进封装领域的新签订单同比实现大幅增长。 6、 请问公司下一代超高深宽比产品、薄膜类产品在先进存储客户的进展如何？ 答：中微公司所开发的拥有完全自主知识产权的 60:1 高深宽比刻蚀设备已经成为客户首选，实现大批量的量产，产品的 uptime 超过 90%，设备性能和稳定性得到客户高度认可。下一代 90:1 超高深宽比刻蚀设备在性能、生产效率和稳定性方面全面升级，目前已在客户端验证。应客户要求，中微公司正在开发 PECVD、PVD、ALD 等多款薄膜设备，其中钨系列薄膜沉积产品已经取得了大批量的订单，实现规模化量产。新的 PECVD 设备在沉积速度、均匀性、输出量等关键指标已经达到国际领先水平；ALD 钼也已经进入生产线验证，目前进展顺利。中微公司有能力为客户的关键工艺提供集成的、整体工艺解决方案。 7、 请问公司薄膜沉积产品在先进逻辑与存储客户端的验证进展如何？未来如何看待薄膜沉积产品在总收入的占比？ 答：中微公司自2010年开始MOCVD设备研发，并且在氮化镓基MOCVD设备领域取得了全球领先的地位。目前，公司已开发出包括全系列的金属栅极、钨系列薄膜沉积产品、PECVD及EPI等多种薄膜类产品。其中，CVD 钨、极高深宽比钨和ALD 钨设备一经推出，就在国内存储大厂实现批量销售，薄膜沉积业务保持高速增长的趋势。公司新开发的等离子体增强原子层沉积（PEALD）设备将覆盖介质薄膜材料，该设备已交付国内先进逻辑芯片客户验证，验证进度良好。此外，公司仅用18个月就成功开发出OLED 8.6代线大平板PECVD设，并顺利进入大生产线认证。中微公司的薄膜类设备在手订单饱满，将保持高速的增长，成为公司业绩增长的重要驱动。 8、 请问公司在MOCVD、先进封装以及量检测产品的最近进展如何？ 答：公司的MOCVD产品全面覆盖下游应用，包含蓝光照明、深紫外 LED、Mini-LED、Micro-LED、SiC、GaN功率器件等外延设备。截至 2025年，公司持续保持国际氮化