美股科技题材集体反弹 关键半导体指数有望结束连跌 | 今夜看点

【财联社】【三星据称将采用台积电工艺生产英伟达定制HBM底层芯片】 市场消息称，三星将采用台积电3纳米工艺，为英伟达下一代定制高带宽内存NVHBM生产底层逻辑芯片。英伟达据称要求三星、SK海力士及美光统一采用台积电工艺生产底层芯片，并采用第六代10纳米级DRAM工艺生产存储核心芯片。